Корейцы повысили скорость памяти для смартфонов до уровня настольных компьютеров

Южнокорейская компания Hynix представила первый модуль оперативной мобильной памяти типа DDR2 емкостью 256 Мб, выполненный по 54-нанометровому техпроцессу. Новинка отличается повышенной тактовой частотой, практически равной памяти, используемой в настольных компьютерах, и сниженным энергопотреблением.

Максимальная тактовая частота нового модуля памяти составляет 1066 МГц. По сравнению с предыдущими модулями новинка обладает энергопотреблением, сниженным примерно на 50 процентов. Она потребляет около 30 процентов от мощности памяти для настольных компьютеров.

Новый модуль памяти со стандартным 32-контактным разъемом позиционируется для использования в высокобюджетных смартфонах, а также мобильных Интернет-устройствах и нетбуках, которым требуется большая пропускная способность оперативной памяти (до 8,5 гигабит в секунду в двухканальном режиме) при ее небольшом энергопотреблении.

Планируется, что в продажу новый модуль памяти поступит во второй половине этого года.